在工业应用中的电桥电路中的IGBT模块的驱动程序直流母线电压高达1200V
昆山奇沃电子有限公司优势供应德国赛米控进口驱动板
型号;
BOARD1S32PROR SKHI22B BOARD1SKYPER32P SKHI23/12 BOARD2SS32PROR SKHI23/17R BOARD2SSKYPER3X SKHI24R BOARD3SS32PROR SKHI26F BOARD3SSKYPER3X SKHI26W BOARD3SSKYPER32 SKHI27W BOARD4SS32PROR SKHIT01R BOARD4SSKYPER3X SKPC22/2 BOARD4SS32R SKPC22/3BOARD SKYPER32PRO (现货)
BOARD3SS32R SKYPER32PROR BOARD2SS32R SKYPER32R SKHI10/12R SKYPER42R SKHI10/17R SKHI22AH4R
西门康可控硅模块SKKT15/06E SKKT15/08ESKKT15/12E SKKT15/14ESKKT15/16E SKKT20/08ESKKT20/12E SKKT20/14ESKKT20/16E SKKT26/12ESKKT26/16E SKKT27/08ESKKT27/12E SKKT27/14ESKKT27/16E SKKT27/18ESKKT41/12E SKKT41/16ESKKT42/08E SKKT42/12ESKKT42/14E SKKT42/16ESKKT42/18E SKKT56/12ESKKT56/16E SKKT57/08ESKKT57/12E SKKT57/14ESKKT57/16E SKKT57/18ESKKT58/16ESKKT57/22E SKKT57/20EH4 SKKT71/12E SKKT57/22EH4SKKT71/16E SKKT72/08ESKKT72/12E SKKT72/14ESKKT72/16E SKKT72/20EH4SKKT72/18E SKKT72/22EH4SKKT91/12E SKKT91/16ESKKT92/08E SKKT92/12ESKKT92/14E SKKT92/16ESKKT92/18E SKKT105/12ESKKT105/16E SKKT106/08ESKKT106/12E SKKT106/14E SKKT106/18ESKKT107/16ESKKT122/08E SKKT122/12ESKKT122/14E SKKT122/16ESKKT122/18E SKKT131/12ESKKT131/16E SKKT132/08ESKKT132/12E SKKT132/14ESKKT132/16E SKKT132/20EH4SKKT132/18E SKKT132/22EH4SKKT161/12E SKKT161/16ESKKT162/08E SKKT162/12ESKKT162/14E SKKT162/20EH4SKKT162/16E SKKT162/22EH4SKKT162/18E SKKT172/08ESKKT172/12E SKKT172/14ESKKT172/16E SKKT172/18ESKKT210/08E SKKT210/12ESKKT210/14E SKKT210/16ESKKT210/18E SKKT213/08ESKKT213/12E SKKT213/14ESKKT213/16E SKKT213/18ESKKT250/08E SKKT250/12ESKKT250/14E SKKT250/16ESKKT250/18E SKKT253/12ESKKT253/14E SKKT253/16ESKKT253/18E SKKT273/12ESKKT273/14E SKKT273/16E
SKKT273/18E SKKT280/12ESKKT280/16E SKKT280/18ESKKT280/20E SKKT280/22ESKKT323/12E SKKT323/14ESKKT323/16E SKKT330/08ESKKT330/12E SKKT330/14ESKKT330/16E SKKT330/18ESKKT430/12E SKKT430/14ESKKT430/16E SKKT430/18ESKKT430/20E SKKT430/22EH4SKKT460/16E SKKT460/20EH4SKKT460/22EH4 SKKT570/12ESKKT570/16E SKKT570/18ESKKT500/08E SKKT500/12ESKKT500/14E SKKT500/16ESKKT500/18E SKKT20B08ESKKT20B12E SKKT20B14ESKKT20B16E SKKT27B08ESKKT27B12E SKKT27B14ESKKT27B16E SKKT27B18ESKKT42B08E SKKT42B12ESKKT42B14E SKKT42B16ESKKT42B18E SKKT57B08ESKKT57B12E SKKT57B14ESKKT57B16E SKKT57B18ESKKT57B22E SKKT72B08ESKKT72B12E SKKT72B14ESKKT72B16E SKKT72B18ESKKT92B08E SKKT92B12ESKKT92B14E SKKT92B16ESKKT92B18E SKKT106B08ESKKT106B12E SKKT106B14ESKKT106B16E SKKT106B18E晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并
建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场
引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互
相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和
自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍
增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn
结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分

-/gbabbfi/-
http://www.zrmfkj.com