T1971N40TOH英飞凌可控硅
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产品描述

电流
⒈ 额定通态电流(IT)即大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
⒉反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
⒊ 控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
4,在规定环境温度和散热条件下,允许通过阴极和阳极的电流平均值。
T1971N40TOH英飞凌可控硅
栅极上的噪声电平
在有电噪声的环境中,如果栅极上的噪声电压超过VGT,并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈,则也会被触发导通。
应用安装时,首先要使栅极外的连线尽可能短。当连线不能很短时,可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个1KΩ的电阻来降低其灵敏度,也可以再并联一个100nf的电容,来滤掉高频噪声
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关于连续峰值开路电压VDRM
在电源不正常的情况下,可控硅(晶闸管)两端的电压会超过连续峰值开路电压VDRM的大值,此时可控硅(晶闸管)的漏电流增大并击穿导通。如果负载能允许很大的浪涌电流,那么硅片上局部的电流密度就很高,使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏。另外白炽灯,容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流,这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰(毛刺)电压加到双向可控硅(晶闸管)上 。
T1971N40TOH英飞凌可控硅
IT(AV)--通态平均电流
VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流
ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流
VTM--通态峰值电压
IGT--门极触发电流
VGT--门极触发电压
IH--维持电流
dv/dt--断态电压临界上升率
di/dt--通态电流临界上升率
Rthjc--结壳热阻
ⅥSO--模块绝缘电压
Tjm--额定结温
VDRM--断态重复峰值电压
IRRM--反向重复峰值电流
IF(AV)--正向平均电流
PGM--门极峰值功率
PG----门极平均功率
-/gbabbfi/-

http://www.zrmfkj.com

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