南京T580N06TOF英飞凌可控硅
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产品描述

常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触

发大晶闸管的触发电路,等等。
可控硅的主要参数有:
1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流

的平均值。
2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,

可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的

这个参数值。
3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅

两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。
4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下,阳极---阴极间加有一定电压时,可控硅从关断状态

转为导通状态所需要的小控制极电流和电压。
5、 维持电流IH 在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的小阳极正向电流。

许多新型可控硅元件相继问世,如适于高频应用的快速可控硅,可以用正或负的触发信号控制

两个方向导通的双向可控硅,可以用正触发信号使其导通,用负触发信号使其关断的可控硅等

等。
南京T580N06TOF英飞凌可控硅
主要厂家:INFINEON、SANREX,WESTCDOE ,SEMIKRON ,EUPEC,IR,POSEICO,POWEREX等。
南京T580N06TOF英飞凌可控硅
关于可控硅(晶闸管)开路电压变化率DVD/DT
在处于截止状态的双向可控硅(晶闸管)两端加一个小于它的VDFM的高速变化的电压时,内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅(晶闸管)导通。这在高温下尤为严重,在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制VD/DT,或可采用高速可控硅(晶闸管)。
南京T580N06TOF英飞凌可控硅
晶闸管特性
可控硅为了能够直观地认识晶闸管的工作特性,大家先看这块示教板。晶闸管VS与小灯泡EL串

联起来,通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的正极,阴极K接电源的负极,控制

极G通过按钮开关SB接在1.5V直流电源的正极(这里使用的是KP1型晶闸管,若采用KP5型,应

接在3V直流电源的正极)。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接,也就是说,给晶闸管

阳极和控制极所加的都是正向电压。合上电源开关S,小灯泡不亮,说明晶闸管没有导通;再

按一下按钮开关SB,给控制极输入一个触发电压,小灯泡亮了,说明晶闸管导通了。这个演示

实验给了我们什么启发呢?
这个实验告诉我们,要使晶闸管导通,一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压,二是在它

的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后,松开按钮开关,去掉触发电压

,仍然维持导通状态。
-/gbabbfi/-

http://www.zrmfkj.com

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