微型快恢复二极管
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产品描述

特性曲线
与PN结一样,二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安
特性曲线(图)。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时,
电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于
完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示。
对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压,当电压值较
小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大
,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管
的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。
微型快恢复二极管
二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方

向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子

式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”

功能。二极管普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断

(称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀
1.
Freewheel diode续流二极管
2.
Esaki diode隧道二极管;江崎二极管
3.
PIN diode PIN型二极管
4.
Schottky diode肖特基二极管
5.
Schottky barrier double rectifier diode萧特基势垒双整流二极管
6.
Zener diode齐纳二极管
7.
backward diode逆向二极管
8.
avalanche photo diode (APD)雪崩光电二极管
9.
blocking diode阻塞二极管
10.
diode capacitor二极管电容器
11.
clamp diode钳位二极管
12.
common-cathode double diode共阴极双二极管
13.
crystal diode晶体二极管
14.
diode-transistor logic (DTL)二极管晶体管逻辑
15.
variable capacitance diode, variode变容二极管
16.
tunnel diode隧道二极管
17.
transient suppression diode瞬变抑制二极管
18.
resistor-capacitor diode (RCD)电阻器电容器二极管
19.
rectifier diode整流二极管
20.
parasitic diode寄生二极管
微型快恢复二极管
反向击穿
齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很
小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空
穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不
容易产生齐纳击穿。
微型快恢复二极管
二极管主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线。
⒈正向特性
当加在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),

管子不导通,处于“截止”状态,当正向电压超过一定数值后,管子才导通,电
二极管伏安特性曲线
二极管伏安特性曲线
压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为

0.5-0.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。
⒉反向特性
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变

,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线Ⅱ段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅

管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,

锗管的稳定性比硅管差。
⒊击穿特性
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。这时的反向电压

称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1

伏到几百伏,甚至高达数千伏。
⒋频率特性
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电

性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。
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