结构原件
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP
管和一个NPN管所组成。双向可控硅:双向可控硅是一种硅可控整流器件,也称作双向晶闸管
。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,具有无火花、动作
快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。从外表上看,双向可控硅和普通可控硅很相
似,也有三个电极。但是,它除了其中一个电极G仍叫做控制极外,另外两个电极通常却不再
叫做阳极和阴极,而统称为主电极Tl和T2。它的符号也和普通可控硅不同,是把两个可控硅反
接在一起画成的,它的型号,在我国一般用“3CTS”或“KS”表示;国外的资料也有
用“TRIAC”来表示的。双向可控硅的规格、型号、外形以及电极引脚排列依生产厂家不同而
有所不同,但其电极引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时,电极引脚向下,面
对标有字符的一面)。市场上常见的几种塑封外形结构双向可控硅的外形及电极引脚排列。
电流
⒈ 额定通态电流(IT)即大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
⒉反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
⒊ 控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
4,在规定环境温度和散热条件下,允许通过阴极和阳极的电流平均值。
关于转换电流变化率
当负载电流,电源频率的增高或电源为非正弦波时,会使转换电流变化率变高,这种情况易在感性负载的情况下发生,很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。
常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触
发大晶闸管的触发电路,等等。
可控硅的主要参数有:
1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流
的平均值。
2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,
可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的
这个参数值。
3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅
两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。
4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下,阳极---阴极间加有一定电压时,可控硅从关断状态
转为导通状态所需要的小控制极电流和电压。
5、 维持电流IH 在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的小阳极正向电流。
许多新型可控硅元件相继问世,如适于高频应用的快速可控硅,可以用正或负的触发信号控制
两个方向导通的双向可控硅,可以用正触发信号使其导通,用负触发信号使其关断的可控硅等
等。
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