中原区域赛米控可控硅SKKT107/16E供应商

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SKiiP01066V3
SKiiPO1NEC066V3
SKiiP11NAB066V1
SKiiP02AC066V1
SKiiP02066V3
SKiiP02NEB066V3


SKiiP02NEC066V3
SKiiP12NAB066V1
SK15GH066




SKiiPO3NEB066V3
SKiiPO3NEC066V3
SKiiP11HEB066V1
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SKiiP13NAB066V1
SK20DGDL066ET
SK20GD066ET
SK20MLI066
SKiiP04AC066V1
SKiiP14NAB066V1
SK30DGDL066ET

二管主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线。

⒈正向特性
当加在二管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压过一定数值后，管子才导通，电
二管伏安特性曲线
二管伏安特性曲线
压再稍微，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二管，起始电压不同，硅管为0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
⒉反向特性
二管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线Ⅱ段）。不同材料的二管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。
⒊击穿特性
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚达数千伏。
⒋频率特性
由于结电容的存在，当频到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。

二管的正负二个端子。正端A称为阳，负端K ；称为阴。电流只能从阳向阴方向移动。一些初学者容易产生这样一种错误认识：“半导体的一‘半’是一半的‘半’；而二管也是只有一‘半’电流流动（这是错误的），所有二管就是半导体 ；”。其实二管与半导体是不同的东西。我们只能说二管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。

二管种类有很多，按照所用的半导体材料，可
各种二管的符号
各种二管的符号
分为锗二管（Ge管）和硅二管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二管、整流二管、稳压二管、开关二管、隔离二管、肖特基二管、发光二管、硅功率开关二管、旋转二管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二管、面接触型二管及平面型二管。点接触型二管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过
贴片二管
贴片二管
较小的电流（不过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二管是一种特制的硅二管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定，多用于开关、脉冲及高频电路中。

一）普通二管的（包括检波二管、整流二管、阻尼二管、开关二管、续流二管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二管的电，还可估测出二管是否损坏。
1．性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二管的两个电，测出一个后，对调两表笔，再测出一个。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二管的正，红表笔接的是二管的负。
2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二管的单向导电特性越好。　若测得二管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二管已开路损坏。

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