反向击穿
齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很
小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空
穴对，致使电流急剧，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不
容易产生齐纳击穿。
主要参数
用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有
不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数：
1、大整流电流IF
是指二极管长期连续工作时，允许通过的大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条
件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左
右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要
超过二极管大整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A
。
2、高反向工作电压Udrm
加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用
安全，规定了高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为
1000V。
3、反向电流Idrm
反向电流是指二极管在常温（25℃）和高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电
流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温
度每升高10℃，反向电流一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温
度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅
失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流
仅为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较
好的稳定性。
4.动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
5高工作频率Fm
Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主
要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。
6，电压温度系数αuz
αuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定
性较好
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而
与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空
穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为
雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结性损坏。
正向性
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用
，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当
正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压而迅速上
升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的
正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长
，二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的
正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
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