特性曲线
与PN结一样，二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安
特性曲线（图）。在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，
电流开始按指数规律，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于
完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。
对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较
小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧
，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管
的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。
二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方
向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子
式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”
功能。二极管普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断
（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀
1.
Freewheel diode续流二极管
2.
Esaki diode隧道二极管；江崎二极管
3.
PIN diode PIN型二极管
4.
Schottky diode肖特基二极管
5.
Schottky barrier double rectifier diode萧特基势垒双整流二极管
6.
Zener diode齐纳二极管
7.
backward diode逆向二极管
8.
avalanche photo diode (APD)雪崩光电二极管
9.
blocking diode阻塞二极管
10.
diode capacitor二极管电容器
11.
clamp diode钳位二极管
12.
common-cathode double diode共阴极双二极管
13.
crystal diode晶体二极管
14.
diode-transistor logic (DTL)二极管晶体管逻辑
15.
variable capacitance diode, variode变容二极管
16.
tunnel diode隧道二极管
17.
transient suppression diode瞬变抑制二极管
18.
resistor-capacitor diode (RCD)电阻器电容器二极管
19.
rectifier diode整流二极管
20.
parasitic diode寄生二极管
小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极
管符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极
管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。用数字式万用表
去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管
的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
半导体是一种具有性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘体那样不能导
电，它介于两者之间，所以称为半导体。半导体重要的两种元素是硅（读“gui”）和锗（
读“zhe”）。我们常听说的美国硅谷，就是因为起先那里有好多家半导体厂商。
二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收
听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。
击穿
外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临
界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿
而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则
二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管因为灯
丝的热损耗，效率比晶体二极管低，所以现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。
二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路
中起着重要的作用，它是诞生早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二
极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光
二极管的压降为2.0--2.2V，发光二极管的压降为1.8—2.0V，绿色发光二极管的压降为
3.0—3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA
二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
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