SEMIKRON赛米控IGBT模块SKiM301MLI12E4、SKiM301TMLI12E4B

主要参数
用来表示二管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二管的参数。不同类型的二管有不同的特性参数。对初学者而言，了解以下几个主要参数：
1、大整流电流IF
是指二管长期连续工作时，允许通过的大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二管使用中不要过二管大整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二管的额定正向工作电流为1A。
2、高反向工作电压Udrm
加在二管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用，规定了高反向工作电压值。例如，IN4001二管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。
3、反向电流Idrm
反向电流是指二管在常温（25℃）和高反向电压作用下，流过二管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流一倍。例如2AP1型锗二管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二管，25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二管比锗二管在高温下具有较好的稳定性。
4.动态电阻Rd
二管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
5高工作频率Fm
Fm是二管工作的上限频率。因二管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是过此值。则单向导电性将受影响。
6，电压温度系数αuz
αuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二管的温度稳定性较好

特性曲线
与PN结一样，二管具有单向导电性。硅二管典型伏安
特性曲线（图）。在二管加有正向电压，当电压值较小时，电流小；当电压过0.6V时，电流开始按指数规律，通常称此为二管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二管处于导通状态，通常称此电压为二管的导通电压，用符号UD表示。
对于锗二管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二管加有反向电压，当电压值较小时，电流小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压过某个值时，电流开始急剧，称之为反向击穿，称此电压为二管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。

反向性
外加反向电压不过一定范围时，通过二管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加

反向击穿
齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。